其(qi)以(yi)氣(qi)體作(zuo)為主(zhu)要(yao)的蝕(shi)刻媒介(jie),並(bing)藉(ji)由等(deng)離子(zi)體能(neng)量來(lai)驅動反(fan)應.在半(ban)導(dao)體的制(zhi)程中,蝕(shi)刻被(bei)用(yong)來(lai)將某種材(cai)質自(zi)晶(jing)圓(yuan)表(biao)面上移除(chu).

        在半(ban)導(dao)體工藝中,刻蝕(shi)是(shi)用(yong)化學或物理(li)方法(fa)有選擇(ze)地(di)從矽表(biao)面去(qu)除(chu)不(bu)需要(yao)的材(cai)料(liao),在矽片(pian)上復制(zhi)所(suo)需圖形的工藝步驟.反(fan)應離(li)子(zi)蝕(shi)刻的各(ge)向異性(xing)可(ke)以(yi)實(shi)現細微圖形的轉(zhuan)換(huan),隨(sui)著(zhe)大規(gui)模(mo)集(ji)成(cheng)電(dian)路工藝技術的發展(zhan),為滿(man)足越來(lai)越小的尺(chi)寸(cun)要求(qiu),反應離(li)子(zi)刻蝕(shi)已(yi)成(cheng)為亞微(wei)米(mi)及以(yi)下(xia)尺(chi)寸(cun)最主(zhu)要(yao)的蝕(shi)刻方式(shi).通(tong)過對刻蝕(shi)工藝的研究,選(xuan)擇(ze)恰(qia)當工藝參數 ( 如(ru)射頻(pin)功(gong)率(lv)、氣(qi)壓、氣(qi)體流(liu)量等等(deng) ),可(ke)獲得最佳工藝條件(jian),並在保(bao)證(zheng)刻蝕(shi)效(xiao)果(guo)的同(tong)時(shi)提高(gao)刻蝕(shi)速(su)率(lv),是(shi)刻蝕(shi)工藝所(suo)追(zhui)求(qiu)的目標(biao).

        華之尊(zun)公司也(ye)有(you)這壹(yi)款幹式蝕(shi)刻機HZZ-H500,它的每(mei)壹(yi)組(zu)系統裏面都包含了(le)原裝(zhuang)進(jin)口雷射源(yuan)(Fiber or UV) ,驅動程式 ,光(guang)學(xue)系統組(zu) ,X-Y軸(zhou)直交型線性(xing)馬達運動系統 ,Z軸(zhou)焦(jiao)距(ju)微(wei)調(tiao)平臺 ,平臺5相微步進(jin)馬達 ,CCD智(zhi)能(neng)型自(zi)動定(ding)位(wei)系統.優(you)越的性(xing)能(neng),高(gao)水平的質(zhi)量,成(cheng)為了越來(lai)越多(duo)客(ke)戶(hu)共(gong)同(tong)的選(xuan)擇(ze).

        過(guo)去(qu),在集(ji)成(cheng)電(dian)路(IC)引線(xian)框的生(sheng)產(chan)中(zhong)廣(guang)為采用(yong)的是(shi)沖(chong)制(zhi)成(cheng)形(xing)工藝技術.為了適(shi)應適(shi)應微(wei)組(zu)裝高(gao)集(ji)成(cheng)對(dui)引線(xian)框架提出(chu)的高(gao)精(jing)度(du),多(duo)腳數(shu)的需求(qiu),目前都采(cai)用(yong)了(le)蝕(shi)刻法制(zhi)作(zuo)IC引線(xian)框架.

        幹式蝕(shi)刻機在生產(chan)上的應用(yong)越來(lai)越廣(guang),華(hua)之尊(zun)會(hui)壹(yi)直努(nu)力奮進(jin),刻苦專(zhuan)研,打(da)造(zao)出(chu)領(ling)先(xian)全(quan)國(guo)的幹式蝕(shi)刻機.