本發(fa)明(ming)旨(zhi)在(zai)解(jie)決(jue)上述(shu)問(wen)題,而(er)提(ti)供壹種不(bu)會導(dao)致(zhi)液(ye)晶膜的(de)第壹導(dao)電(dian)層(ceng)與(yu)第二導(dao)電(dian)層(ceng)結(jie)合(he)的液晶膜切(qie)割方法(fa)及膽(dan)甾(zai)相(xiang)液晶膜.

        為(wei)實(shi)現上述(shu)目的(de),本(ben)發(fa)明(ming)提(ti)供了壹種(zhong)液(ye)晶膜切(qie)割方法(fa),所(suo)述(shu)液(ye)晶膜包括液晶層(ceng)和設於液晶層(ceng)兩(liang)側(ce)的(de)第壹導(dao)電(dian)層(ceng)和第二導(dao)電(dian)層(ceng),其(qi)特(te)征在(zai)於,該切(qie)割方法(fa)包括:

        半(ban)切(qie)工(gong)序:利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第壹切(qie)割線對(dui)液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割,其切(qie)割深度深入至(zhi)液(ye)晶膜的(de)第壹導(dao)電(dian)層(ceng)與(yu)第二導(dao)電(dian)層(ceng)之(zhi)間的部位(wei);全(quan)切(qie)工(gong)序:利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第二切(qie)割線對(dui)液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割,其切(qie)割深度可(ke)沿液晶膜的(de)厚(hou)度方(fang)向(xiang)切(qie)斷(duan)液(ye)晶膜以(yi)使第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜被切(qie)割成若幹個分(fen)離的(de)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜;其(qi)中,所述(shu)第壹尺寸大(da)於所述(shu)第二尺寸,所(suo)述(shu)第壹切(qie)割線的(de)切(qie)割位(wei)置落入第二切(qie)割線的(de)切(qie)割位(wei)置範圍(wei)內(nei).

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,先進(jin)行半(ban)切(qie)工(gong)序,後進(jin)行全(quan)切(qie)工(gong)序;利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第壹切(qie)割線對(dui)液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割時,該(gai)液(ye)晶膜為(wei)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜.

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,先進(jin)行全(quan)切(qie)工(gong)序,後進(jin)行半(ban)切(qie)工(gong)序,利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第壹切(qie)割線對(dui)液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割時,該(gai)液(ye)晶膜為(wei)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜.

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,所述(shu)半(ban)切(qie)工(gong)序與(yu)全(quan)切(qie)工(gong)序同時進(jin)行,所(suo)述(shu)切(qie)割工(gong)具(ju)設有平行間(jian)隔(ge)的第壹切(qie)割頭和第二切(qie)割頭,所述(shu)第壹切(qie)割頭的切(qie)割深度小於所述(shu)第二切(qie)割頭的切(qie)割深度.

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,所述(shu)切(qie)割工(gong)具(ju)為(wei)激(ji)光(guang)切(qie)割器,其沿第壹切(qie)割線對(dui)液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割時使用第壹切(qie)割能(neng)量(liang)進(jin)行切(qie)割,其沿第二切(qie)割線對(dui)液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割時使用第二切(qie)割能(neng)量(liang)進(jin)行切(qie)割,所述(shu)第二切(qie)割能(neng)量(liang)大(da)於所述(shu)第壹切(qie)割能(neng)量(liang).

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,所述(shu)第壹切(qie)割線與(yu)第二切(qie)割線的(de)切(qie)割圖(tu)形邊緣之間的(de)距(ju)離為(wei)0.1~10mm.

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,其依(yi)次(ci)包括以下步(bu)驟:

        半(ban)切(qie)工(gong)序:利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第壹切(qie)割線對(dui)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割,其切(qie)割深度深入至(zhi)液(ye)晶膜的(de)第壹導(dao)電(dian)層(ceng)與(yu)第二導(dao)電(dian)層(ceng)之(zhi)間的距(ju)離,以(yi)使得(de)在(zai)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上形成若幹個第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)和位(wei)於第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)外(wai)圍(wei)的邊角料區域(yu);去除(chu)邊角料:將(jiang)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上的邊角料區域(yu)內(nei)的切(qie)割深度以(yi)上的材(cai)料從(cong)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上分離出去,使得(de)第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)內(nei)的材(cai)料被間隔(ge)的保(bao)留(liu)在(zai)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上;全切(qie)工(gong)序:利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第二切(qie)割線對(dui)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割,第二切(qie)割線對(dui)應(ying)於第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)的(de)邊緣外,其切(qie)割深度可(ke)沿液晶膜的(de)厚(hou)度方(fang)向(xiang)切(qie)斷(duan)整(zheng)個液(ye)晶膜,以(yi)使得(de)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜被切(qie)割成若幹個分(fen)離的(de)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜,該(gai)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜包括第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu).

        進(jin)壹(yi)步(bu)的,其依(yi)次(ci)包括以下步(bu)驟:

        全切(qie)工(gong)序:利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第二切(qie)割線對(dui)第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割,其切(qie)割深度可(ke)沿液晶膜的(de)厚(hou)度方(fang)向(xiang)切(qie)斷(duan)液(ye)晶膜以(yi)使第壹尺寸大(da)小的液(ye)晶膜被切(qie)割成若幹個分(fen)離的(de)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜;半(ban)切(qie)工(gong)序:利用切(qie)割工(gong)具(ju)沿第壹切(qie)割線對(dui)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜進(jin)行切(qie)割,第壹切(qie)割線的(de)位(wei)置由第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜邊緣向內(nei)縮0.1~ 10mm,切(qie)割工(gong)具(ju)的切(qie)割深度深入至(zhi)液(ye)晶膜的(de)第壹導(dao)電(dian)層(ceng)與(yu)第二導(dao)電(dian)層(ceng)之(zhi)間的距(ju)離,以(yi)使得(de)在(zai)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上形成壹個(ge)第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)和位(wei)於第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)外(wai)圍(wei)的邊角料區域(yu);去除(chu)邊角料:將(jiang)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上的邊角料區域(yu)內(nei)的切(qie)割深度以(yi)上的材(cai)料從(cong)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上分離出去,使得(de)第三(san)尺寸大(da)小的液(ye)晶膜區(qu)域(yu)內(nei)的材(cai)料被完(wan)整(zheng)的保留在(zai)第二尺寸大(da)小的液(ye)晶膜上.

        進(jin)壹(yi)步(bu)地,所述(shu)第壹切(qie)割線和第二切(qie)割線的(de)切(qie)割圖(tu)形分別(bie)包括若幹個相(xiang)互間隔(ge)的閉(bi)合(he)的圖(tu)形.
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