觸(chu)摸屏激光切(qie)割(ge)機(ji)薄膜(mo)式切(qie)割(ge)解決方(fang)案(an)

配(pei)置(zhi)需是(shi)真(zhen)正(zheng)的(de)美(mei)國(guo)進口(kou)CCD全(quan)自(zi)動定(ding)位(wei)系統，CCD精密(mi)定(ding)位(wei)，電腦能(neng)自動擷取(qu)定(ding)位(wei)耙並相(xiang)對(dui)定(ding)位(wei)比對(dui)進行自(zi)動修正(zheng)切(qie)割(ge)路徑，無需任(ren)何(he)手動全(quan)智(zhi)能(neng)定(ding)位(wei)，就能(neng)夠填補(bu)了(le)傳統激光切割(ge)機(ji)的CCD真(zhen)正(zheng)定(ding)位(wei)空(kong)白(bai)。

了解詳情

CO2激(ji)光雕刻切割(ge)機(ji)加工塑料(liao)薄膜(mo)的(de)研究進(jin)展

傳(chuan)統的C02激光切割(ge)機(ji)的輸(shu)出(chu)波長(chang)集(ji)中(zhong)在(zai)10．6μm，新型的C02激光(guang)切(qie)割(ge)機(ji)可以靈活(huo)選擇(ze)實(shi)際(ji)發射(she)的激(ji)光波(bo)長，有2種(zhong)方法獲得不同波(bo)長(chang)：(1)在(zai)激光器(qi)折疊(die)腔(qiang)結(jie)構中(zhong)插(cha)入(ru)波(bo)長選擇(ze)光(guang)學元(yuan)件(jian)，就會(hui)產生(sheng)其它波(bo)長(chang)，如(ru)l0.2μm波長(chang)；(2)采用C02分(fen)子(zi)的同(tong)位(wei)素作(zuo)為介質，產生9．41xm波(bo)長(chang)。

了(le)解詳情

激(ji)光切割(ge)薄膜(mo)膠帶材(cai)料的(de)原(yuan)理(li)

聚(ju)焦後(hou)的高(gao)強度激光束照射(she)在(zai)被切(qie)割(ge)薄膜(mo)膠帶材(cai)料的(de)表面(mian)，光能(neng)轉換為熱(re)能(neng)。在(zai)數微(wei)秒的時(shi)間內，光斑區的溫度迅速升(sheng)高(gao)到(dao)膠帶材(cai)料的(de)熔(rong)點甚至沸點，這(zhe)樣激(ji)光(guang)照射(she)的膠帶材(cai)料被熔(rong)化和(he)汽化，壹(yi)個(ge)小孔(kong)被刺穿(chuan)。當(dang)激光(guang)束在(zai)振鏡(jing)的作(zuo)用沿著設(she)定(ding)路徑移(yi)動或(huo)薄膜(mo)相(xiang)對(dui)於激光(guang)束移(yi)動時(shi)，光(guang)子(zi)與(yu)膠帶材(cai)料不斷相(xiang)互(hu)作用(yong)，隨(sui)著汽化物逸出(chu)並經(jing)排煙(yan)系統抽(chou)出(chu)，便在(zai)膠帶上形(xing)成切(qie)縫。在(zai)膠帶軟包(bao)裝的(de)應(ying)用(yong)中(zhong)，通過調(tiao)整(zheng)激光(guang)輸(shu)出(chu)功(gong)率，達到(dao)不同的(de)切(qie)割(ge)深度，膠帶薄膜(mo)切(qie)割(ge)通常分(fen)為(wei)層切(qie)和(he)切(qie)穿(chuan)2種(zhong)。

了(le)解詳情

激(ji)光切割(ge)PMC等(deng)碳纖(xian)維(wei)復合(he)材(cai)料

現(xian)今的復合(he)材(cai)料基本(ben)可以分為(wei)三(san)大(da)類(lei)：陶(tao)瓷基復合(he)材(cai)料、金(jin)屬(shu)基復合(he)材(cai)料和(he)另(ling)壹(yi)種(zhong)最常見(jian)的(de)--聚合(he)物基復合(he)材(cai)料（或(huo)稱(cheng)PMC）。聚合(he)物復合(he)材(cai)料是(shi)在(zai)熱固性樹(shu)脂（如(ru)環氧(yang)樹(shu)脂或(huo)聚(ju)亞胺(an)酯(zhi)等(deng)）。中(zhong)添(tian)加(jia)強(qiang)化纖(xian)維(wei)（如(ru)碳(tan)纖(xian)維(wei)、石(shi)墨(mo)、玻(bo)璃纖(xian)維(wei)、芳(fang)香族(zu)化合(he)物等(deng)）。

了解詳情

LED外(wai)延(yan)片/芯(xin)片工藝(yi)流程(cheng)及激光(guang)切割(ge)蝕(shi)刻關鍵(jian)環節

外(wai)延(yan)片材(cai)料是(shi)LED的核心(xin)部分，事實(shi)上(shang)，LED的波長、亮(liang)度、正向(xiang)電(dian)壓(ya)等(deng)主要光電參(can)數基本(ben)上(shang)取(qu)決於(yu)外延(yan)片材(cai)料。外(wai)延(yan)片技(ji)術與(yu)設(she)備是(shi)外延(yan)片制(zhi)造技(ji)術的關(guan)鍵所(suo)在(zai)。

了解詳情

ITO透(tou)明導電(dian)薄膜(mo)的(de)制(zhi)備及光電(dian)特性(xing)研究

以(yi)氯化銦和(he)氯(lv)化錫為(wei)前驅(qu)物，采用溶膠-凝膠法在(zai)玻(bo)璃基片上(shang)制(zhi)備了ITO薄膜(mo)。研究了(le)摻(chan)錫濃(nong)度、熱處(chu)理(li)溫度和(he)熱(re)處(chu)理(li)時(shi)間等(deng)工藝(yi)條(tiao)件(jian)對(dui)ITO薄膜(mo)光(guang)電(dian)特性(xing)的影響。制(zhi)備的ITO薄膜(mo)的(de)方(fang)阻(zu)為(wei)300Ω／□，可見光平(ping)均(jun)透過率為８０％，電(dian)阻(zu)率為４×１０－３Ω·ｃｍ，其(qi)光電(dian)特(te)性(xing)已(yi)達到(dao)了ＴＮ－ＬＣＤ透(tou)明(ming)電極的要求(qiu)。

了(le)解詳情